STニュース
 

P1198C

2004年9月21日

STマイクロエレクトロニクスは、
シングル・パッケージの完全な車載用Hブリッジを発表

パッケージは、STの先進パワー・プロセスにより内蔵した3つのダイを集積

STは、シングル・パッケージの完全な車載用Hブリッジを発表「VNH3SP30」STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、ウィンドウ・リフト、 シート・ポジショナの駆動、およびDCモータ制御などのハイパワー車載アプリ ケーション向けに、シングル・パッケージの完全なHブリッジを発表しました。

VNH3SP30は、幅広い車載アプリケーション向けのフルブリッジ・モータ・ドライバです。このパッケージ化により、顧客は基板の省スペース化、軽量化、コ スト削減を実現できます。

出力電流は30A、最大動作電圧は40VのVNH3SP30は、低損失動作時、ハーフブリ ッジ毎最大45mWのRDS(on)(オン抵抗)を持ちます。さらに制御入力は5Vロジ ック・レベルと互換性があり、最大10KHzでのPWM動作をサポートします。

このモータ・ドライバは、アンダー/オーバー電圧、およびGNDまたはVCC電位 の損失に対し、広範囲な保護機能を備えています。その他の保護機構としては、 過電圧クランプ、過熱保護回路、クロスコンダクション保護、およびリニア電 流リミッタを装備しています。

VNH3SP30は、デュアル・モノリシックHSD(ハイサイド・ドライバ)と2つのロ ーサイド・スイッチの周囲に配されています。HSDスイッチは、STのVIPower™ M0テクノロジを採用して設計することにより、1個のダイのパワーMOSFET上に インテリジェント信号/保護回路構成の高効率の集積を実現しています。ロー サイド・スイッチは、ST独自のEHD(STripFET™)プロセスを採用して製造され たVertical MOSFETです。

3個のダイは、電気的絶縁を施したリードフレーム上に、表面実装 MultiPowerSO-30パッケージの形態でアセンブリされています。このパッケー ジは、車載などの過酷な環境向けに設計されており、省スペース化と同時に、 優れた電流機能とサーマル機能を実現しています。その完全に対称的な機械設 計により、基板レベルでの優れた製造容易化が可能です。

2つの入力信号、InAとInBは、マイクロコントローラと直接インタフェース接 続し、モータの方向やブレーキの状態を選択できます。2つの診断/イネーブ ル・ピンにより、ユーザはいずれかのブリッジを選択できます。また、デジタ ル診断信号をフィードバックすることも可能です。

この製品の詳細については、www.st.com/vipowerをご覧ください。

 

STマイクロエレクトロニクスについて


STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに半導体製品やソリューションを開発・提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、他社の追随を許さない高度なシリコン技術とシステムノウハウを擁しており、幅広いIP(Intellectual Property)ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力とを組み合わせることにより、SoC(システム-オン-チップ)技術に関し世界的リーダーとしての地位を確立しています。またSTの半導体製品は、市場における技術やシステムのコンバージェンス化を促進するために重要な役目を果たしています。STは、ニューヨーク証券取引所(NYSE:STM)、パリ証券取引所(Euronext Paris)とミラノ証券取引所に上場しています。2003年の売上は72.4億ドルで、純利益は2億5300万ドルでした。

さらに詳しい情報は、STのホームページをご覧ください。
  日本法人 [日本語] http://www.st-japan.co.jp/
  ST本社 [英語] http://www.st.com/


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