STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM 以下ST）は、M41ST85シリアルRTC（リアルタイム・クロック：Real-Time
Clock）とスーパーバイザー・チップの新バージョンとして、32KHzクリスタル内蔵のロープロファイル・省スペースのSOX28パッケージを発表しました。3Vと5Vのバージョンが用意され、M41ST85MX6には数多くの機能が集積されています。バックアップ電源は、システム内に一般に存在する顧客提供バッテリを共用するため、スペースとコストの削減を実現しています。
クリスタルをパッケージに集積することでICとクリスタル間の適合が一層改善され、時間精度が向上しています。SOX28パッケージは、干渉からクリスタルを隔離することでセキュリティを強化し、さらに湿気に対するクリスタルの保護機能も高めています。また、クリスタルの外部接続が不要となるため、アセンブリ・コストも削減されます。
SNAPHAT
パッケージの姉妹製品M41ST85MH6と同様、M41ST85MX6はシリアルRTCにマイクロプロセッサとNVRAMスーパーバイザー機能を組み合わせています。この高レベルの集積により、さらにコストの削減を実現しています。M41ST85MX6の心臓部は、プログラマブルでバッテリバックアップされるRTCであり、ここに100分の1秒〜100年までの分解能で時刻と日付のRTC
カウンタが格納されています。RTCは400kHz 拡張 I
2Cインタフェースを介してアクセスします。M41ST85MX6のRTC部は、低電力のCMOS SRAM技術が使用され、64Ｘ8ビット構成、内20バイトはRTCレジスタで、残りの44バイトは汎用NVRAM
領域になっています。
NVRAMスーパーバイザー部は、外部に接続されたLP SRAM（低電力SRAM）を「不揮発化」します。この機能にはAutomatic Battery Switch-Over（自動バッテリ切り替え）回路、Chip-Enable Gate for Write Protection(書込保護用 チップ・イネーブル・ゲート)、およびBattery Monitor(バッテリ・モニタ)が含まれます。これにより、ユーザはM41ST85MX6のバックアップ・バッテリを使用して外部の接続されたLP SRAMをバックアップすることが可能です。
M41ST85MX6のマイクロプロセッサ・スーパーバイザー部には、1.25V基準によるEarly Power-Fail Warning（早期電源異常警告）回路、および2組のリセット・入力ピンとパワー・オン・リセット／低電圧検知回路を含むといった複数のソースによって起動可能なリセット回路を集積しています。また、62.5ms〜128sの範囲でタイムアウトがプログラブルなウオッチドッグ・タイマー(WDT)も集積されています。
高集積、省コストおよび省スペースのM41ST85MX6のアプリケーションとして、POS端末、サーバ、医療システム、自動販売機、SCSI周辺機器、ゲーム・センター 等に適しています。 高さ2.4mm、幅0.42mm（ピンを含む）、長さ18.4mmという小型でロープロファイルのSOX28パッケージは、高集積、省スペース、省コストの特徴を兼ね備えています。M41ST85MX6の動作温度範囲は-40°〜+85°Cです。現在、サンプルを提供しており量産も開始しています。
