STニュース
 

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2008年5月20日

STマイクロエレクトロニクスは、
静電容量とフットプリントを低減するUSB2.0 ESD保護デバイスを発表

6ピンQFNデバイスがデータ・ラインおよびVbus向けに
完全なIEC61000-4-2 level 4ソリューションを提供

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  保護デバイスの世界的リーダーであるSTマイクロエレクトロニクス(http://www.st-japan.co.jp/、NYSE:STM、以下ST)は、Vbusを含む高速USB の完全なESD(Electro-Static Discharge)保護の必要条件に対応した、1.0×1.45×0.65mmの超小型QFN-6デバイスを発表しました。このUSBULC6-2M6は240MHzにおける最大容量が0.85pFであり、歪みを最小限に抑え、最高480Mbps動作時に最大10pFというライン負荷の仕様に適合します。

コンパクトなフットプリントと低背型が特徴のパッケージに搭載されるUSBULC6-2M6は、携帯電話、モバイルPC、携帯型メディア・プレーヤ、およびIEC61000-4-2保護を必要とするその他の携帯型高速通信機器に最適です。このデバイスは、15kVの気中放電と8kVの接触放電に関してlevel 4の仕様に適合しており、ブレークダウン電圧は6.1Vです。さらに、0.5μAという小さな最大リーク電流が消費電力を低減し、バッテリ動作時間を延長します。

USBULC6-2M6は、信号の透過性が最大になるように内部的に最適化されており、基板レイアウトの単純化とデータ・ライン全体のインピーダンス整合を維持するため、入出力対称形の端子配列を備えています。

0.1pF以内で静電容量を整合させた2組の相補型保護ダイオード回路を搭載するUSBULC6-2M6は、差動型およびシングル・エンド型の幅広い高速信号伝送アプリケーションに適しています。挿入損失ゼロが最高3GHzまで保証されており、ギガビット・イーサネットなどのアプリケーションや将来の高速プロトコルでの使用が可能です。その他のメリットとして、これらのアプリケーション向けの代替デバイスである金属酸化物バリスタに比べて非常にクランプ電圧が低く、サブ100nmのCMOS ICの保護機能を強化します。

USBULC6-2M6は現在提供可能であり、1,000個以上購入時の単価は約0.20ドルです。
STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに半導体製品やソリューションを開発・提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、他社の追随を許さない高度なシリコン技術とシステムノウハウを擁しており、幅広いIP(Intellectual Property)ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力との組合わせにより、SoC(システム-オン-チップ)技術に関し世界的リーダーとしての地位を確立しています。またSTの半導体製品は、市場における技術やシステムのコンバージェンス化を促進するために重要な役目を果たしています。STは、ニューヨーク証券取引所(NYSE:STM)、パリ証券取引所(Euronext Paris)とミラノ証券取引所に上場しています。2007年の売上は100億ドルでした。
さらに詳しい情報は、STのホームページをご覧ください。
  ST日本法人 http://www.st-japan.co.jp
  STグループ (英語) http://www.st.com
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