パワーMOSFETの世界的リーダーであるSTマイクロエレクトロニクス（NYSE: STM、以下ST）は、STの超高効率パワーMOSFET 、
MDmesh™ Vの新製品を発表しました。同製品は、業界標準サイズのTO-247パッケージに搭載され、650VのMOSFETとしては業界最小のオン抵抗を実現しています。
STのパワーMOSFET事業部 マーケティング･ディレクターであるMaurizio Giudiceは、次の様にコメントしています。「
MDmesh Vファミリは、ST独自の第5世代スーパー･ジャンクション技術と実績のあるPowerMESH™水平レイアウトを組み合わせており、競合するデバイスよりも優れた性能を実現しています。ダイ面積当り業界最小のオン抵抗（RDS(ON)）が、あらゆるパッケージにおいて効率の改善を提供します。設計者はこの利点を活用することで性能を向上させると同時に、従来のMOSFETの複数並列ネットワークをはるかに少数の
MDmesh Vに置き換えることによって、全体サイズを縮小できます。」
TO-247パッケージに搭載された新製品
STW77N65M5のオン抵抗は38mΩです。また、STは、Max247パッケージでオン抵抗が22mΩの
STY112N65M5を2010年に発表する予定です。これらの製品は2009年初旬にスーパー･ジャンクションMOSFET技術である
MDmesh Vを発表した際に、STのロードマップに紹介されていました。現在、
STW77N65M5は量産中で、最大電流は69 Aです。
STの
MDmesh V技術は、従来のMOSFETおよび競合するスーパー･ジャンクション製品と比較して、単位面積当り最小のオン抵抗を実現します。この優れた性能による利点には、効率･電力密度の向上および使用時温度の低下があり、PCやサーバ等の電源、太陽光発電用コンバータ、溶接用電源、UPS機器といった導通損失が効率に大きな影響をおよぼすアプリケーションでの信頼性向上に繋がります。
また、これらの製品は、超低オン抵抗という特徴だけでなく、低スイッチング損失も実現しているため、広範なアプリケーションおよび使用状況において、総合的に効率を向上させることができます。
MDmesh V技術を採用したパワーMOSFETは、TO-220、TO-220FP、I2PAK、D2PAK、DPAKおよびIPAKといった一般的な業界標準パッケージに搭載されます。
現在、
STW77N65M5は量産中で、TO-247パッケージで提供されています。単価は、1,000個購入時に約10ドルです。
詳細は
www.st.com/mdmeshvをご覧ください。
