パワー半導体の世界的リーダーであるSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、同社の新しいシリコン･カーバイド（SiC）ショットキー･ダイオード製品ファミリがElectronique Magazineの『Electron d'Or 2009』賞を"電力変換"部門で受賞したことを発表しました。各部門の受賞製品は、前年にリリースされた製品の中より候補が選ばれ、エレクトロニクス業界で定評ある専門家によって構成される審査委員会によって決定されます。
STのASD（特定用途向けデバイス）& IPAD（Integrated Passive and Active Devices）製品事業部のジェネラル･マネージャであるRicardo de Sa Earpは次の様にコメントしています。「名誉ある『Electron d'Or 2009』賞の受賞は、パワー･アプリケーション向けに高信頼･高性能製品を提供するというSTのコミットメントを実証しています。Electronique Magazineならびにフランスのエレクトロニクス業界を代表する専門家の方々に認められたことに深く感謝すると共に、当社のSiCショットキー･ダイオードが選出されたことを光栄に思います。」
STのSiCダイオードである
STPSC806Dおよび
STPSC1006Dは、最先端の基板技術を採用することで電源のスイッチング損失を低減し、高効率化と発熱の低減を実現します。スイッチング電源（SMPS）に一般的に使用されているシリコン（Si）ダイオードが、ターンオフ時に効率を最大1%低減するのに対して、SiC技術はダイオードの順方向導通期間に逆回復電荷が蓄積しないため、高効率化が可能です。SiCショットキー･ダイオードは、逆回復電荷を排除することで全体のスイッチング損失を低減し、効率の向上と熱損失の低下を実現しています。
