Le più recenti novità della famiglia di MOSFET di potenza basati su MDmesh™ V, la tecnologia di supergiunzione oggi leader, stabiliscono un nuovo record e permettono di realizzare convertitori di potenza solare e prodotti di elettronica di consumo ancora più efficienti
La STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, ha stabilito un nuovo record mondiale nei MSOFET di potenza ad alta tensione con l’introduzione di un nuovo membro della famiglia MDmesh V, tecnologia già leader nell’industria per le sue prestazioni. Il nuovo componente migliora di oltre il 23% uno dei parametri chiave per l’efficienza e offre le migliori caratteristiche di resistenza in stato “on” a parità di area, garantendo la massima efficienza e densità di potenza con dispositivi specificati fino a 650V. È un enorme passo avanti nell’aumentare l’efficienza riducendo l’energia dispersa, tipicamente sotto forma di calore, nei circuiti per la conversione della potenza di sistemi come controlli elettronici per l’illuminazione, alimentatori per prodotti di consumo, convertitori di potenza solare.
Maurizio Giudice, Direttore Marketing Transistori di Potenza della ST, ha commentato: “Il nuovo record consolida ed estende la leadership della ST nei MOSFET a Super-Giunzione, dove il nostro MDmesh V rappresenta la versione più recente della consolidata tecnologia Multi-Drain Mesh della ST. Il miglioramento delle prestazioni permetterà ai clienti di ridurre il consumo di energia delle loro applicazioni, sottolineando l’impegno della ST nel fornire soluzioni attente all’ambiente e con prestazioni eccezionali, grazie alla progettazione e sviluppo di prodotti innovativi.”
Il MOSFET STW88N65M5 MDmesh V di recente introduzione garantisce la minore resistenza in stato “on” dell’industria per dispositivi da 650V in package standard TO-247, con solo 0,029 Ohm. È stato quindi migliorato il precedente record di 0,038 Ohm della ST, anch’esso stabilito da un dispositivo MDmesh V. Ciò permette ai progettisti di aumentare l’efficienza energetica delle applicazioni finali sostituendo rimpiazzando i MOSFET con resistenza più elevata o usando meno dispositivi in parallelo. Si riducono così le dimensioni o il costo totale dei componenti.
La specifica fino a 650V dell’STW88N65M5 e degli altri dispositivi MDmesh V della ST offre un maggior margine di sicurezza rispetto ai componenti specificati a 600V e proposti da società concorrenti. In questo modo i MOSFET sono in grado di sopportare meglio i picchi di tensioni normalmente presenti nelle linee AC.
La tecnologia MDmesh V della ST, già ampiamente consolidata nel mercato, è disponibile in un’ampia gamma di package tra cui Max247, TO-247, D2PAK, TO-220/FP, PowerFLAT 8x8 HV e I2PAK.
Per maggiori informazioni: www.st.com/mdmeshv
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Alcune informazioni sulla STMicroelectronics
La STMicroelectronics è un leader globale al servizio dei clienti attraverso tutto lo spettro delle applicazioni elettroniche con soluzioni innovative basate sui semiconduttori. La ST si propone di diventare il leader indiscusso nelle applicazioni di potenza e nella convergenza multimediale avvalendosi della propria vasta gamma di tecnologie, esperienza di progettazione e combinazione di proprietà intellettuale, partnership strategiche e forte capacità manifatturiera. Nel 2010 i ricavi netti della Società sono stati pari a 10,35 miliardi di dollari. Per ulteriori informazioni sulla STMicroelectronics consultare il sito www.st.com
